メインナビゲーションにスキップ
検索にスキップ
メインコンテンツにスキップ
富山大学 ホーム
日本語
English
ホーム
プロファイル
研究部門
設備
プロジェクト
研究成果
データセット
受賞
活動
授業
専門知識、名前、または所属機関で検索
Scopus著者プロファイル
佐伯 淳
教授, 工学博士 東京工業大学 1989年3月, 工学修士 東京工業大学 1986年3月, 工学士 東京工業大学 1984年3月
材料デザイン工学科
https://orcid.org/0000-0003-1442-7374
h-index
898
被引用数
14
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1985 …
2020
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
プロジェクト
(2)
研究成果
(95)
活動
(28)
授業
(271)
類似のプロファイル
(6)
フィンガープリント
Atsushi Saikiが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Material Science
Film
100%
Thin Films
77%
Surface (Surface Science)
35%
Single Crystal
35%
Zirconia
32%
X-Ray Diffraction
31%
Chemical Vapor Deposition
23%
Crystal Structure
23%
Cerium Oxide
23%
Solution
22%
Phase Composition
13%
Lattice Constant
12%
Yttrium Oxide
11%
Optical Property
11%
Potassium
11%
Tantalate
11%
Cathode
10%
Oxide Compound
10%
Hydrothermal Synthesis
10%
Electrical Resistivity
10%
Oxidation Reaction
10%
Surface Morphology
9%
Ferroelectricity
8%
Density
8%
Magnesium Oxide
8%
Anode
7%
Tantalum
7%
Activation Energy
7%
Magnetron Sputtering
6%
Lithium Ion
6%
Scanning Electron Microscopy
6%
Gas Flow
6%
Residual Stress
5%
Film Thickness
5%
Electrodeposition
5%
Tetragonal Zirconia
5%
Luminescence
5%
Oxygen Vacancy
5%
Electronic Property
5%
Transition Metal Chalcogenides
5%
Magnetism
5%
Dielectric Property
5%
Magnetic Property
5%
Cathode Material
5%
Volume Fraction
5%
Crystal Lattice
5%
Thermogravimetric Analysis
5%
Keyphrases
Glass Substrate
24%
Metal-organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
23%
Annealing
21%
Aqueous Solution
21%
YSZ Thin Film
20%
Epitaxially Grown
20%
Single Crystal
18%
Electrical Field
17%
Ferroelectric Domain Switching
17%
Si(111)
15%
Heteroepitaxial Structures
14%
Zirconia
13%
Epitaxial
13%
Room Temperature
13%
Electrochemically Reduced
12%
Pyrochlore Structure
11%
Pseudo Single Crystal
11%
Oxygen Deficiency
11%
Potassium Tantalate
11%
Optical Properties
11%
High Temperature
11%
Deposition Temperature
11%
Critical Stress
10%
Surface Morphology
10%
Lattice Parameter
10%
Reactive Sputtering
9%
Mg-PSZ
9%
Yttria-stabilized Zirconia
9%
X-ray
9%
Domain Switching
9%
Crystal Growth
9%
Precursor Solution
9%
Phase Transition
9%
Pyrochlore-type
8%
Iron Phosphate
8%
Low Vacuum
8%
Ablation
8%
Dielectric Properties
8%
K2Ta2O6
8%
Volume Fraction
8%
Aluminum Oxide
8%
Film Thickness
8%
C-axis Orientation
8%
Solid-state Reaction
8%
MgO Substrate
8%
Lithium Carbonate
7%
X Ray Diffraction
7%
Zirconium Dioxide
7%
SrBi2Ta2O9
7%
YSZ Coating
7%
Engineering
Thin Films
48%
Yttria-Stabilized Zirconia
24%
Glass Substrate
16%
Mols
16%
Deposited Film
16%
Aqueous Solution
15%
Lattice Constant
14%
Chemical Vapor Deposition
14%
Phase Composition
13%
Electric Field
12%
Reactive Sputtering
12%
Crystal Structure
11%
Surface Morphology
10%
Room Temperature
10%
Lattice Parameter
9%
Critical Stress
8%
Deposition Temperature
7%
Fusion Reactor
7%
Vapor Deposition
6%
Polycrystalline
6%
Battery Life
5%
Lithium-Ion Cell
5%
Ray Photoelectron Spectroscopy
5%
Solid Reaction
5%
Apparent Activation Energy
5%
Reciprocal Space
5%
Deposition Condition
5%
Dielectrics
5%
Precursor Solution
5%
Gas Flowrate
5%
Face-Centered Cubic
5%
